Samsung 990 PRO HeatSink SSD 1TB M.2 80mm PCI-e 4.0 x4 NVMe, V-NAND,

Samsung 990 PRO HeatSink SSD 1TB M.2 80mm PCI-e 4.0 x4 NVMe, V-NAND,

SAMSD-1000_35
MZ-V9P1T0CW
8806094413748
SAMSUNG

Petra Lebar
60 mesecev

MPC: MPC: 125,88 €

MPC z DDV: Z ddv: 153,57 €

Če želite kupovati pri nas kliknite na sledečo povezavo.
Potrebujete pomoč pri nakupu?
Samsung 990 PRO HeatSink SSD 1TB M.2 je NVMe disk, ki podpira PCIe Gen4 x4. Nudi hitrosti branja do 7450 MB/s in pisanja do 6900 MB/s. Ima hladilnik za učinkovito odvajanje toplote. Primeren za igralne konzole in računalnike.

Opis izdelka

Samsung 990 PRO HeatSink je NVMe SSD disk v M.2 formatu s kapaciteto 1TB. Podpira vodilo PCIe Gen4 x4 in nudi hitrosti branja do 7450 MB/s in hitrosti pisanja do 6900 MB/s. SSD ima hladilnik, ki učinkovito odvaja toploto za bolj učinkovito dolgotrajno delovanje. Kompatibilen s PlayStation 5, namiznimi računalniki in prenosniki, ki ustrezajo PCI-SIG D8 standardu.

NAJBOLJ IZKORIŠČEN PCIe 4.0
Samsung 990 Pro poskrbi za učinkovito porabo PCIe 4.0 vodila. Dosega hitrosti branja do 7450 MB/s. 990 Pro je tudi med 40% in 55% hitrejši od predhodnika 980 Pro. Disk se izkaže tako pri igranju iger, montaži video posnetkov, 3D obdelovanju, pri analizi podatkov in drugje.

UČINKOVIT
Poraba energije je pri 990 Pro več kot 50% učinkovitejša od SSD-ja 980 Pro. Večja hitrost ne povzroča večje porabe energije.

POT DO ZMAGE
SSD 990 PRO HeatSink je opremljen s hladilnikom nizkega profila, ki odvaja toploto in preprečuje padce zmogljivosti zaradi pregrevanja. Ohišje SSD-ja je združljivo tudi z igralno konzolo PlayStation in prenosniki, ki ustrezajo standardu PCI-SIG D8.

Ostale lastnosti:
    Vodilo: PCIe Gen4.0 x4, NVMe 2.0
    Hitrost sekvenčnega branja: do 7450 MB/s
    Hitrost sekvenčnega pisanja: do 6900 MB/s
    Hitrost naključnega branja: do 1.200.000 IOPS
    Hitrost naključnega pisanja: do 1.550.000 IOPS
    Primeren za osebne računalnike in igralne konzole
    Format: M.2 (2280)
    Dimenzije: 80 x 24,3 x 8,2 mm (s hladnilnikom)
    Predpomnilnik: Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
    Podpira TRIM in S.M.A.R.T, GC algoritem, AES 256-bit enkripcijo
    Povprečna poraba: 5,4 W, največja poraba: 7,8 W
    MTBF: 1,5 milijonov ur
    TBW: 600

Tehnične informacije

ProizvajalecSAMSUNG
Kapaciteta1000 GB
FormatM.2
VodiloPCI-e 4.0 x4 NVMe

Logistične informacije

Teža (bruto) 0,10 kg
Višina 1 cm
Širina 7 cm
Globina 7 cm

Dokumenti

Specifikacije in vse druge informacije na tem spletnem mestu so na voljo "takšne, kot so" brez kakršnih koli jamstev, vključno z implicitnimi garancijami za prodajo, primernostjo za določen namen in nekršitvijo, in se lahko spremenijo brez predhodnega obvestila.

Podjetje ne jamči, da bodo spletno mesto in materiali, izdelki, komunikacije, vsebine in storitve zanesljivi, neprekinjeni, brez napak, brez virusov in drugih škodljivih elementov, ali da bodo napake odpravljene. Zavedajte se, da se funkcije/specifikacije lahko razlikujejo od države do države. Slike izdelkov, vključno z barvo, se lahko razlikujejo od dejanskega videza izdelka.